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厂商型号

NCV8402DDR2G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 42V 2A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

277-NCV8402DDR2G

生产厂商

on semiconductor

ONSEMI

#1

数量:0
1+¥30.057
25+¥18.088
100+¥14.123
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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#2

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#3

数量:826
最小起订量:1
上海
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NCV8402DDR2G产品详细规格

规格书 NCV8402DDR2G datasheet 规格书
NCV8402DDR2G datasheet 规格书
NCV8402D
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
Low Side
Input 型 *
输出数 1
导通状态电阻 165 mOhm
电流 - 输出/通道 -
Current - Peak 输出功率 4.8A
- 电源电压 -
操作温度 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 42 V
最大连续漏极电流 2 A
RDS -于 200@10V mOhm
最大门源电压 ±14 V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±14
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1620
最大漏源电压 42
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 200@10V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
包装高度 1.5(Max)
最大连续漏极电流 2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
输出数 1
安装类型 Surface Mount
电流 - 输出/通道 2A
供应商设备封装 8-SO
导通状态电阻 165 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 4.8A
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
类型 Low Side
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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